nanometro“Chiusa la fase di sviluppo, Intel annuncia che sarà pronta a realizzare chip a 32 nanometri da fine 2009.”
Intel ha completato la fase di sviluppo del processo produttivo a 32 nanometri. L’azienda si dice pronta alla produzione nel quarto trimestre 2009. Intel continua quindi a rispettare la sua strategia “Tick-Tock”, dove tick si riferisce all’introduzione di un nuovo processo produttivo, mentre tock segna la presentazione di una nuova architettura. Toccata la fase “Tock” con la presentazione di Nehalem, Intel raggiungerà la fase Tick sul finire dell’anno 2009, con il processo produttivo a 32 nanometri. Il processo produttivo a 32 nanometri descrive una tecnologia che si appoggia ai transistor high-k + metal gate, alla litografia a immersione 193nm per stampare i circuiti sui chip e a tecniche di assemblaggio dei transistor migliorate. Intel conta che tutte queste novità possano introdurre un passo in avanti deciso sia nel campo dell’efficienza energetica che in quello delle prestazioni. I chip a 32 nanometri saranno ricavati da wafer da 300 millimetri. Il passaggio alle soluzioni a 450 mm sarà effettuato solamente nel corso del prossimo decennio. Il completamento della fase di sviluppo permette a Intel di concentrarsi sullo step successivo, il processo a 22 nanometri, che dovrebbe progredire fino alla realizzazione del primo chip SRAM a settembre del 2009. Intel è ancora in fase di ricerca, invece, per quanto concerne i 16 nanometri. Maggiori dettagli sul processo produttivo a 32 nanometri saranno svelati dall’azienda all’International Electron Devices meeting (IEDM), che aprirà i battenti il 15 dicembre a San Francisco. La presentazione comprenderà un chip SRAM realizzato a 32 nanometri, dotato di ben 1.9 miliardi di transistor e frequenza di 3.8 GHz. Intel, infine, discuterà brevemente delle scoperte relative alla tecnologia CMOS a 22 nanometri.